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国际巨头签订长约,全球SiC争夺战持续

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发布时间:2021-09-16 14:29:00

国际巨头签订长约,全球SiC争夺战持续 


近日,日本昭和电工宣布与半导体制造商罗姆签订长期供应合同,根据协议,昭和电工将为制造碳化硅(SiC)功率半导体的罗姆供应SiC外延片。新闻稿指出,此长期合同将进一步加强昭和电工和罗姆之间在提高SiC外延片质量方面的技术合作。

△Source:昭和电工官网截图

资料显示,昭和电工的SiC外延片于2009年投放市场,昭和电工预计,通过签订长期合同,其SiC外延片业务将在SiC功率器件市场进一步增长。

2025年SiC功率市场规模达33.9亿美元

SiC衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域,具体应用领域包括电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。

凭借其高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,近年来,SiC半导体产业市场快速发展并已迎来爆发期。

据TrendForce集邦咨询调查,全球SiC功率市场规模至2025年将达33.9亿美元,年复合成长率达38%,其中前三大应用占比将分别为新能源车61%、光伏及储能13%、充电桩9%,新能源车产业中又以主驱逆变器、车载充电机(OBC)、直流变压器(DC-DC)为应用大宗。

当前,SiC材料主要集中在美国科锐及贰陆、日本罗姆及欧洲意法半导体等厂商手中。

根据公开信息,国际主要SiC晶片生产企业已实现6英寸晶片规模化供应,其中科锐、贰陆在SiC晶片制造产业中拥有尺寸的代际优势,已成功研制并投资建设8英寸晶片产线。此外,今年7月27日,意法半导体也宣布,制造出首批8英寸SiC晶圆片。

国际大厂SiC争夺战持续

随着近年来全球对以SiC晶片为衬底的器件需求持续增长,各大国际厂商纷纷通过加强合作和产能扩张计划开启SiC争夺战。

客户合作方面,昭和电工除了此次与罗姆签订长期供应合同外,今年5月,该公司还与英飞凌科签订了供应契约,供应包括磊晶在内的各种SiC材料。根据双方公布的信息,英飞凌和昭和电工的合同期限为两年,并可选择延期。

此外,科锐于今年8月宣布与意法半导体(ST)扩大现有的多年长期SiC晶圆供应协议。根据新的供应协议,科锐在未来几年将向意法半导体提供150毫米SiC裸片和外延片。

扩产方面,昭和电工8月23日宣布,将筹措约1100亿日元资金,其中约700亿日元将用于扩增SiC晶圆、研磨液(CMP Slurry)等半导体材料产能。

罗姆则计划在今后5年内投资600亿日元,将使用于EV的SiC功率半导体产能扩增至现行的5倍。

此外,科锐早在2019年就宣布了扩产计划,计划投资10亿美元扩产30倍,以满足未来市场需求。最新消息是,科锐首席执行官Gregg Lowe已经确认,作为10亿美元扩大SiC产能计划的一部分,科锐位于纽约州马西镇的SiC晶圆厂有望在2022年初投产,该厂于2019年开始建设,为“世界上最大”的SiC晶圆厂,将聚焦车规级产品。