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2亿赔偿逃不掉!英特尔5次反击全失败

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发布时间:2021-09-11 16:51:10

2亿赔偿逃不掉!英特尔5次反击全失败


2021年8月23日国家知识产权局裁定,英特尔提交的,涉及中国科学院微电子研究所的FinFET专利,希望宣告该专利权利要求1-7无效的请求被驳回。

国家知识产权局认定,201110240931.5号发明专利权的权利要求1-7有效。这已经是英特尔第五次专利无效申请失败。

早在2018年时,英特尔便曾向国家知识产权局提出无效宣告请求,但没能如愿。在美国专利商标局英特尔也多次提交申请,但也都失败而归。

如今,中科院更是又一次“守擂”成功。那么,FinFET究竟是什么?英特尔又为什么紧抓着中科院不放?

FinFET是什么

FinFET名为鳍式场效应晶体管,是一种芯片结构。此前主流的平面工艺发展至20nm时,因其沟道距离缩短而使得开关能力变弱,而不再适用。

而FinFET技术则成功接替平面工艺,成为业界主流,并在半导体制程22nm-5nm中,FinFET发挥关键的作用。

直到如今,FinFET晶体管架构依然是如今半导体行业的主力军,可见其重要性。

FinFET与英特尔

FinFET工艺在1999年被发明,发明者为加州大学伯克利分校教授胡正明。不过,率先将FinFET带入商用的却是英特尔。

2009年,英特尔推出22nm FinFET晶圆,引发巨大的轰动。2011年,第一款FinFET芯片——酷睿第三代处理器在英特尔手中诞生,英特尔引领了全球半导体领域一场工艺技术变革。后来,FinFET又经过了各大晶圆厂的不断改进与创新,逐渐推广开来。

不过,英特尔虽然率先实现FinFET技术商业化,并不代表着这项技术专利就握在英特尔手中。

中科院也在FinFET创新与专利产出中占据了重要地位。2018年2月,中科院微电子所打响中国半导体产业向海外企业专利维权第一炮。

中科院微电子所认为,英特尔侵犯了其FinFET专利,并要求英特尔至少赔款2亿元,并对英特尔“酷睿”产品禁售。不过,英特尔并不愿意掏这笔巨款,由此引发了英特尔此后一系列的反抗。

FinFET与中科院

那么,中科院到底有怎样的底气,敢与英特尔硬碰硬?

中科院微电子在FinFET技术上拥有三大优势,让英特尔不得不提高警惕,这便是“高端人才”、“先导技术和高质量专利”、“非制造实体”。

先来看高端人才,中科院微电子所许多专家来自IBM、三星、AMD、联合等国际半导体巨头,有着强大的技术实力。因此,中科院能掌握多项FinFET关键专利,并不让人意外。

再来看先导技术与高质量专利。据美国专利资讯公司公布的全球FinFET专利调查报告显示,在FinFET专利数量上中科院微电子所虽然仅排在第11名;但是在整体专利质量上,中科院却超越英特尔、IBM等一众巨头,排在了全球第一位。

能够看出,全球专家对对于中科院微电子FinFET技术的肯定,这是中科院的一大底气。

最后来看非制造实体。中科院微电子所的FinFET专利产出更接近对基础原理的探究。毕竟,中科院的定位使其考虑的更多的是前端研发。

这样一来,中科院科技成果转化为专利许可会更加容易,技术成功与“专利非实施实体”更加相符。

由此,中科院微电子所在FinFET技术上占据优势地位,连英特尔也不是其对手。

从英特尔此前屡次碰壁来看,英特尔的愿望恐怕依然无法成真。最后,反而可能是英特尔向中科院微电子所支付2亿元的专利侵权赔款。

最终,二者之间的这场纠纷究竟将如何解决呢,就让我们拭目以待。